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场效应管特性

JFET/MOSFET 转移特性与输出特性曲线

参数控制

\(V_{GS}\)-2.0 V
-6 V0 V
\(V_{DS}\)（由负载线求得）10.0 V
0 V20 V
\(I_{DSS}\)10 mA
\(V_P\)-4.0 V
\(V_{DD}\)15 V
\(R_D\)1.0 kΩ
0.5 kΩ5.0 kΩ

工作点参数

\(I_D\)
2.5 mA
\(V_{DS}\)
10.0 V
\(g_m\)
2.5 mS
工作区域
饱和区

转移特性（\(I_D\) vs \(V_{GS}\)）

虚线为理想饱和区公式，实线包含 \(V_{DD}\) 与 \(R_D\) 的负载限制

输出特性曲线族（\(I_D\) vs \(V_{DS}\)）

关键公式

\[I_D = I_{DSS}\left(1 - \frac{V_{GS}}{V_P}\right)^2 \;\text{(JFET饱和区)} \qquad I_D = k_n(V_{GS} - V_{TH})^2 \;\text{(MOSFET饱和区)}\] \[g_m = \frac{2I_{DSS}}{|V_P|}\left(1 - \frac{V_{GS}}{V_P}\right) \;\text{(JFET饱和区)} \qquad g_m = 2k_n(V_{GS} - V_{TH}) \;\text{(MOSFET饱和区)}\]